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2024-11
耐材之窗耐火原料指數(shù)
綜合指數(shù)
  • 綜合指數(shù)：202.42
  • 上月：198.9
  • 環(huán)比： +1.77%
  • 去年同期：191.26
  • 同比： +5.83%
產(chǎn)品指數(shù)
  • 鋁礬土：175.00 上月：171.00 環(huán)比： +2.00% 去年同期：159.00 同比： +10.00%
  • 碳化硅：98.00 上月：98.00 環(huán)比： 0.00% 去年同期：113.00 同比： -14.00%
  • 鱗片石墨：103.00 上月：103.00 環(huán)比： 0.00% 去年同期：127.00 同比： -18.00%
  • 燒結(jié)鎂砂：208.00 上月：208.00 環(huán)比： 0.00% 去年同期：217.00 同比： -4.00%
  • 普通電熔鎂砂：138.00 上月：142.00 環(huán)比： -3.00% 去年同期：133.00 同比： +3.00%
  • 棕剛玉：140.00 上月：138.00 環(huán)比： +1.00% 去年同期：125.00 同比： +12.00%
  • 白剛玉：145.00 上月：142.00 環(huán)比： +2.00% 去年同期：91.00 同比: +59.00%
  • 棕剛玉：140.00 上月：138.00 環(huán)比： +1.00% 去年同期：125.00 同比： +12.00%
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SOI--新一代硅基材料

發(fā)布時(shí)間：2003-10-15
SOI--新一代硅基材料 SOI(Sikicon On Insukator)--絕緣層上的硅，是指將一薄層硅置于絕緣襯底上，被國際上公認(rèn)為是21世紀(jì)的微電子技術(shù)之一和新一代硅基材料。集成電路發(fā)展到目前的超大規(guī)模時(shí)代，要進(jìn)一步提高芯片的集成度和運(yùn)行速度，現(xiàn)有的體硅材料及工藝正接近它們的物理極限，在進(jìn)一步減小集成電路的特征尺寸小于0.1微米方面遇到了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。SOI技術(shù)正是能突破硅材料與硅集成電路限制的新技...

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