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2024-12
耐材之窗耐火原料指數(shù)
綜合指數(shù)
  • 綜合指數(shù)：203.62
  • 上月：202.42
  • 環(huán)比： +0.59%
  • 去年同期：190.94
  • 同比： +6.64%
產(chǎn)品指數(shù)
  • 鋁礬土：175.00 上月：171.00 環(huán)比： +2.00% 去年同期：159.00 同比： +10.00%
  • 碳化硅：98.00 上月：98.00 環(huán)比： 0.00% 去年同期：113.00 同比： -14.00%
  • 鱗片石墨：103.00 上月：103.00 環(huán)比： 0.00% 去年同期：127.00 同比： -18.00%
  • 燒結(jié)鎂砂：208.00 上月：208.00 環(huán)比： 0.00% 去年同期：217.00 同比： -4.00%
  • 普通電熔鎂砂：138.00 上月：142.00 環(huán)比： -3.00% 去年同期：133.00 同比： +3.00%
  • 棕剛玉：140.00 上月：138.00 環(huán)比： +1.00% 去年同期：125.00 同比： +12.00%
  • 白剛玉：145.00 上月：142.00 環(huán)比： +2.00% 去年同期：91.00 同比: +59.00%
  • 棕剛玉：140.00 上月：138.00 環(huán)比： +1.00% 去年同期：125.00 同比： +12.00%
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II-VI 公司將合作建立碳化硅半導(dǎo)體基底制造基地

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發(fā)布時間：2005-04-07
II-VI公司宣布它將在Starkville與SemiSouth實驗室和密西西比州立大學(xué)合作建立一個碳化硅（SiC）半導(dǎo)體基底制造基地。 碳化硅可用來作為藍(lán)紫光發(fā)光二極管的基底，同時也能用于高溫電子學(xué)和光電子學(xué)、無線頻率電子學(xué)，還有高能電子學(xué)這個合作可以將II-VI的碳化硅基底的生產(chǎn)能力和SemiSouth在SiC晶體外延材料生長技術(shù)方面的優(yōu)勢集中起來。技術(shù)和運(yùn)營支持將由II-VI的WBMG技術(shù)中心提供。
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